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由于近期蘋果、三星等手機(jī)廠商接連倡導(dǎo)“為地球減負(fù)”的提議,宣布在用戶購買手機(jī)時(shí)取消標(biāo)配充電器。這一舉措實(shí)實(shí)在在刺激了第三方快充充電器市場。為此,英諾賽科推出了一款氮化鎵pd20W快充方案,可以同時(shí)滿足蘋果、三星、小米、華為、OPPO等手機(jī)用戶的快充需求。
英諾賽科近期推出的這款氮化鎵pd20w快充方案,是基于 英諾賽科低壓InnoGaN器件INN100L12設(shè)計(jì),并且是非常特殊地用在了次級同步整流。
英諾賽科INN100L12是一款已經(jīng)量產(chǎn)商用的GaN同步整流管,為降低適配器次級側(cè)同步整流驅(qū)動(dòng)損耗,提高工作頻率,帶來了新的選擇。除了低壓氮化鎵外,英諾賽科650V高壓氮化鎵FET也早就已經(jīng)量產(chǎn),并在眾多產(chǎn)品中有著廣泛應(yīng)用,英諾賽科是為數(shù)不多的幾家能夠提供氮化鎵器件的廠商。
英諾賽科氮化鎵pd20w快充方案參考設(shè)計(jì),初級采用兩顆電解電容濾波,次級采用固態(tài)電容,680μF16V,永銘VPX系列,協(xié)議小板垂直焊接。
參考設(shè)計(jì)左側(cè)是輸出的同步整流電路,南芯SC3503同步整流控制器芯片右側(cè)為英諾賽科 INN100L12,僅為同步整流控制器2/3面積;同時(shí)初級控制器也是來自南芯,型號SC3001B。
20W氮化鎵參考設(shè)計(jì)寬約22mm,高約20mm;和蘋果pd20w充電器對比,僅約為其一半體積大小,非常精巧。
這款氮化鎵pd20w快充方案充電器的次級同步整流管采用英諾賽科INN100L12,100V耐壓的增強(qiáng)型GaN開關(guān)管。氮化鎵器件支持超高開關(guān)頻率,超低導(dǎo)阻,無反向恢復(fù)損耗,快速且可控制的上升和下降時(shí)間,采用超薄和高可靠性的倒裝LGA封裝,同時(shí)具有開爾文采樣源極,可減少寄生參數(shù),獲得更精準(zhǔn)的控制,提高效率。LGA封裝大面積的源極與漏極有助于導(dǎo)熱,配合PCB導(dǎo)熱設(shè)計(jì),可做到無需輔助散熱。相比傳統(tǒng)Si MOS,均可降低驅(qū)動(dòng)損耗,和反向恢復(fù)損耗,提高工作頻率,提升功率密度,是傳統(tǒng)Si MOS的理想替代品。聚泉鑫科技代理英諾賽科氮化鎵器件,并且提供氮化鎵快充方案,如氮化鎵pd20w快充方案設(shè)計(jì)及相關(guān)技術(shù)支持。
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