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100%EAS保證
綠色設(shè)備可用
超低柵電荷
優(yōu)異的CdV/dt效應(yīng)下降
先進(jìn)的高電池密度溝槽技術(shù)
描述
AGM306AP是高單元密度溝槽N溝道MOSFET它提供了同步降壓轉(zhuǎn)換器的應(yīng)用最優(yōu)秀的RDSON和柵極電荷。
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