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小體積33w氮化鎵快充方案,英諾賽科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片

2023-09-09 16:22      英諾賽科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片   小體積33w氮化鎵快充方案    瀏覽次數(shù):(
       近兩年來市場上不斷出現(xiàn)各類新型氮化鎵方案,功率亦出現(xiàn)兩極分化的趨勢,即一種是往120W、150W、200W以上的大功率氮化鎵方案發(fā)展;另一種情況則往實用型手機PD快充轉變,如45W、30W、20W特別是33W氮化鎵充電器方案等。

        此次為大家?guī)硪豢罹邆?strong>爆品潛質(zhì)小體積33w氮化鎵快充方案,采用英諾賽科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片。



小體積33w氮化鎵快充方案,英諾賽科INN650DA04搭配RM6601ND主控芯片
       主控采用亞成微的PWM開關控制芯片RM6601ND,這是一款集成了高壓啟動、GaN驅(qū)動器、滿足六級能效要求的PWM+PFM控制器。支持CCM和QR工作模式,內(nèi)置700V高壓啟動,開關頻率最高為130KHz,支持抖頻功能改善EMI,集成斜坡補償和高低壓功率補償。
 
        氮化鎵功率器件開關管采用英諾賽科INN650DA04,這是一顆DFN5*6封裝的氮化鎵開關管,具有小體積,散熱快,開關損耗低等優(yōu)勢。
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        爆品潛質(zhì)小體積33w氮化鎵快充方案的基本框架,采用RM6601ND+INN650DA04+RM5020T+RMD070N10S配套。

爆品潛質(zhì)小體積33w氮化鎵快充方案特點:

(1)提升功率的同時,進一步縮小了充電器體積
(2)并且功耗更低,性能方面還支持20V高壓快充
(3)支持最高27W快充與33W PPS快充
(4)可匹配iPhone系列以及其他主流品牌手機快充。
(5)在110V 60Hz、220V 50Hz輸入電壓下,所有輸出功率紋波峰峰值均低于200mVp-p這個國家充電器紋波要求標準。


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