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什么是氮化鎵GaN? 氮化鎵GaN是一種新型半導體材料,屬于第三代半導體核心材料,它具有禁帶寬度大、熱導率高、耐高溫、耐酸堿、高強度和高硬度等特性。采用GaN氮化鎵元件,充電器不僅僅可以做到體積小和重量輕,在發(fā)熱量和效率轉換上相比舊款充電器也更具優(yōu)勢。 氮化鎵GaN有哪些優(yōu)勢? 目前大部分電子元器件的基礎材料是硅Si,在電子行業(yè)中,硅Si是非常重要的一種基礎材料。但是隨著硅極限被逐步逼近,基本上現在硅的開發(fā)已經達到了瓶頸,許多產業(yè)已經開始努力尋找更合適的替代品,而氮化鎵GaN就是這樣進入到了人們眼中。 (1)相對硅而言,氮化鎵GaN擁有更寬的帶隙,寬帶隙也就意味著,氮化鎵能比硅承受更高的電壓,擁有更好的導電能力。 簡而言之兩種材料在相同體積下,氮化鎵GaN比硅的效率高出不少。 如果氮化鎵GaN替換現在所有電子設備,可能會讓電子產品的用電量再減少10%或者25%。 (2)氮化鎵GaN能比硅承受更高的電壓,擁有更好的導電能力。 這意味著,在許多電源管理產品中,氮化鎵是更強的存在。 應用層面,采用氮化鎵做充電器的話能夠實現更快充電更小體積。采用氮化鎵GaN基材的快充充電器比硅基材料的普通充電器,體積能夠縮小40%左右。 (3)氮化鎵GaN能比硅擁有更好的散熱能力。能夠實現充電器充電全程低溫。 氮化鎵GaN充電器由于有GaN(氮化鎵)加持,發(fā)熱低,散熱快,可在常溫環(huán)境下連續(xù)工作1000小時以上安全無損傷。不會出現由于受到充電器發(fā)熱影響,效率明顯下降的情況! 基于氮化鎵GaN材料設計的充電器,對于用戶而言,最直接的好處是,能夠擁有一個體積更小、重量更輕、發(fā)熱量更低、充電速度更快、并且能夠長時間穩(wěn)定輸出充電的快充充電器產品! |
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